Памет SSD 250GB Samsung MZ-V7S250BW - ниска цена от JAR Computers

Описание Характеристики Ревюта / Въпроси Документация Вземи на изплащане

Страхотна скорост

Крайната производителност, подобрена. По-бързо от 970 EVO, 970 EVO Plus се захранва от последната технология на Samsung V-NAND и оптимизация на фърмуера. Това максимизира потенциала на NVMe честотната лента за превъзходно изчисление. В капацитет до 2TB, с надеждност до 1200 TBW.

Ниво на изпълнение

970 EVO Plus може да достигне последователни скорости на четене / запис до 3,500 / 3,300 MB / s, до 57% по-бързо от 970 EVO. Най-новият V-NAND на Samsung, който носи по-голяма производителност на NAND и по-висока енергийна ефективност, заедно с оптимизирания фърмуер, доказан контролер Phoenix и Intelligent TurboWrite ускорява скоростите.

Гъвкавост на дизайна

Следващият напредък в NVMe SSD. 970 EVO Plus се побира до 2TB върху компактния M.2 (2280) форм-фактор, като значително увеличава капацитета за съхранение и спестява място за други компоненти. Иновативната технология на Samsung ви дава възможност да правите повече и да постигате повече.

Изключителна издръжливост

Новият стандарт в устойчивото представяне. Получете до 1 200 TBW4 с 5-годишна ограничена гаранция за дълготрайна работа. 970 EVO Plus осигурява изключителна издръжливост, задвижвана от най-новата технология V-NAND и качеството на Samsung.

Ненадмината надеждност

Постигнете ново ниво на увереност при шофиране. Усъвършенстваният никелов контролер и разпръсквачът на топлина на 970 EVO Plus на Samsung осигуряват забележително разсейване. Dynamic Thermal Guard автоматично следи и поддържа оптимални работни температури, за да минимизира спада на производителността.

Спецификации:

Общи характеристики

Приложение Клиентски компютри
Капацитет 250 GB (1 GB = 1 милиард байта според IDEMA) * Реалният използваем капацитет може да е по-малък (поради форматиране, разделяне, операционна система, приложения или по друга причина)
Тип форма M.2 (2280)
Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
Размери (ШxВxД) 80.15 x 22.15 x 2.38 (мм)
Тегло Maксимално тегло 8.0 г
Памет за съхранение Samsung V-NAND 3-bit MLC
Контролер Samsung Phoenix контролер
Кеш памет Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM

Специална функция

Поддръжка на TRIM Поддържа се
Поддръжка на S.M.A.R.T Поддържа се
GC (Събиране на отпадъците) Auto Garbage Collection Algorithm
Поддръжка на криптиране 256-битово криптиране AES (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (криптирано устройство)
Поддръжка на WWN Не се поддържа
Поддръжка на спящ режим на устройството Да

Ефективност

Последователно четене До 3 500 MB/сек *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация
Последователен запис До 2 300 MB/сек * Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация
Произволно четене (4KB, QD32) До 250 000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация
Произволен запис (4KB, QD32) До 550 000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация
Произволно четене (4KB, QD1) До 17 000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация
Произволен запис (4KB, QD1) До 60 000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация

Среда

Средна консумация на енергия (системно ниво) * Средно: 5 W * Максимум: 8 W (в Burst Mode) * Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Консумация на енергия (при покой) Макс. 30 mW * Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Допустимо напрежение 3.3 V ± 5 % допустимо напрежение
Надеждност (MTBF) Надеждност от 1,5 милиона часа (MTBF)
Работна температура 0 - 70 ℃ работна температура
Удар 1500 G & 0,5 мсек (половин синусоида)