Памет SSD 4TB Samsung 990 PRO Heatsink (MZ-V9P4T0GW), NVMe, M.2 (2280), скорост на четене до 7450MB/s, скорост на запис до 6900MB/s

Последно поколение SSD

Достигни максимална производителност с PCIe 4.0. Изпитай по-дълготрайна и взривоопасна скорост. Интелигентният контрол на температурата осигурява оптимална енергийна ефективност като същевременно поддържа невероятна скорост и производителност, за да си винаги на върха.

Максимална скорост с PCIe 4.0

Огромно подобрение на скоростта. 40% и 55% по-бързи скорости на произволно четене/запис в сравнение с 980 PRO - до 1400K/1550K IOPS, а скоростите на последователно четене/запис достигат до 7450/6900 MB/s при максимална производителност на PCIe® 4.0. Наслади се на върховно гейминг и видео изживяване, безпроблемни 3D редактиране, обработка на данни и др.

Революционна енергийна ефективност

По-енергоефективна производителност. По-високата производителност обикновено консумира повече енергия, но 990 PRO използва по-малко енергия с до 50% подобрена производителност на ват спрямо 980 PRO. Този дизайн с ниска мощност прави възможна максималната PCIe® 4.0 производителност с оптимална енергийна ефективност.

Интелигентна система за охлаждане   Охладителят с тънък дизайн понижава топлината, за да предотврати падане на производителността в резултат от прегряване. Наслади се на стабилна температура и минимален шум от вентилатора при по-натоварващи игри. Съвместимост с PlayStation 5, настолни компютри и лаптопи, отговарящи на стандарт PCI-SIG D8.

Скорост за шампиони

Най-доброто гейминг изживяване. Подобрението на произволното четене с над 55% позволява по-бързо зареждане за максимален реализъм на игрите за PS5 и DirectStorage.

Общи характеристики

   Приложение
   Персонални компютри, игрови конзоли
   Капацитет
   4000GB (1GB=1 милиард байта от IDEMA) *Действителният използваем капацитет може да е по-малък (поради форматиране, разделяне, операционна система, приложения и др.)
   Тип форма
   M.2 (2280)
   Интерфейс
   PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
   Размери (ШxВxД)
   Max 80.15 x Max 25 x Max 8.88mm (с охладител)
   Тегло
   Макс. тегло 28.0 g
   Памет за съхранение
   Samsung V-NAND TLC
   Контролер
   Вътрешен контролер на Samsung
   Кеш памет
   Samsung 4GB DDR4 SDRAM с ниска консумация на енергия

Специална функция

   Поддръжка на TRIM
   Поддържа се
   Поддръжка на S.M.A.R.T
   Поддържа се
   GC (Събиране на отпадъците)
   Алгоритъм за автоматично събиране на отпадъци
   Поддръжка на криптиране
   AES 256-битово криптиране (клас 0)TCG/Opal IEEE1667 (криптирано устройство)
   Поддръжка на спящ режим на устройството
   Да

Ефективност

   Последователно четене
   До 7,450 MB/s *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.
   Последователен запис
   До 6,900 MB/s *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.
   Произволно четене (4KB, QD32)
   До 1 600 000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.
   Произволен запис (4KB, QD32)
   До 1 550 000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.
   Произволно четене (4KB, QD1)
   До 22 000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.
   Произволен запис (4KB, QD1)
   До 80 000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.

Среда

   Средна консумация на енергия (системно ниво)
   *Средно: 6,5 W *Максимум: 8,6 W (режим на разрушаване) *Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата.
   Консумация на енергия (при покой)
   Макс. 55 mW *Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурация.
   Допустимо напрежение
   3,3 V ± 5% Допустимо напрежение
   Надеждност (MTBF)
   1,5 милиона часа надеждност (MTBF)
   Работна температура
   0 - 70℃ Работна температура
   Удар
   1500 G & 0,5 ms (полусинус)

JAR Computers може да предложи ремонт/смяна/монтаж в наш сервиз или при партньор.